ترسيب البخار الكيميائي (CVD)

يشير ترسيب البخار الكيميائي (CVD) إلى طريقة تفاعل الغاز أو البخار الكيميائي على سطح الركيزة لتركيب الطلاءات أو المواد النانوية. وهي التقنية الأكثر استخدامًا في صناعة أشباه الموصلات لإيداع مجموعة متنوعة من المواد ، بما في ذلك مجموعة واسعة معظم المواد المعدنية ومواد السبائك المعدنية. من الناحية النظرية ، الأمر بسيط للغاية: يتم إدخال مادتين أو أكثر من المواد الخام الغازية في غرفة التفاعل ، ثم تتفاعل كيميائيًا مع بعضها البعض لتشكيل مادة جديدة ، والتي تترسب على سطح الرقاقة. ومن الأمثلة الجيدة على ذلك فيلم نيتريد السيليكون المترسب (Si3N4) ، والذي يتكون من تفاعل السيلان والنيتروجين.

ترسيب البخار الكيميائي هي تقنية تقليدية لتحضير الأغشية الرقيقة ، مبدأها هو استخدام المواد الأولية الغازية المتفاعلة لتحليل بعض المكونات في السلائف الغازية من خلال تفاعلات كيميائية بين الذرات والجزيئات لتشكيل غشاء رقيق على الركيزة. يتضمن ترسيب البخار الكيميائي الضغط الجوي ، ترسيب البخار الكيميائي ، الترسيب الكيميائي بمساعدة البلازما ، الترسيب الكيميائي بمساعدة الليزر ، ترسيب المركب العضوي المعدني ، إلخ.